Полупроводник спецификация

TH50VPN5640EBSB СПЕЦИФИКАЦИЯ,СХЕМЫ,ФУНКЦИИ

TH50VPN5640EBSB Datasheet PDF

ПроизводительУпаковкаОписаниеPDFТемпература
TOSHIBA MULTI-CHIP INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS PSEUDO SRAM NAND E2PROM MEMORY MIXED MULTI-CHIP PACKAGE TH50VPN5640EBSB PDF
Минимум°C | Макс°C

  • TOSHIBA TH50VPN564
    MULTI-CHIP INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS PSEUDO SRAM NAND E2PROM MEMORY MIXED MULTI-CHIP PACKAGE
  • TOSHIBA TH50VPN5640EBSB
    MULTI-CHIP INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS PSEUDO SRAM NAND E2PROM MEMORY MIXED MULTI-CHIP PACKAGE

© 2025 - Полупроводник спецификация Карта сайта
Español 中文 Português Русский 日本語 Deutsch العربية Français 한국어 Italiano Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam