Полупроводник спецификация

PDTD123TS СПЕЦИФИКАЦИЯ,СХЕМЫ,ФУНКЦИИ

PDTD123TS Datasheet PDF

ПроизводительУпаковкаОписаниеPDFТемпература
NXP SemiconductorsNPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = open Минимум°C | Макс°C


© 2025 - Полупроводник спецификация Карта сайта
Español 中文 Português Русский 日本語 Deutsch العربية Français 한국어 Italiano Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam