Полупроводник спецификация

JD335010 СПЕЦИФИКАЦИЯ,СХЕМЫ,ФУНКЦИИ

JD335010 Datasheet PDF

ПроизводительУпаковкаОписаниеPDFТемпература
TRANSISTOR | MOS-BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)CEO | 100A I(C) Минимум°C | Макс°C

  • JD335010
    TRANSISTOR | MOS-BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)CEO | 100A I(C)

© 2025 - Полупроводник спецификация Карта сайта
Español 中文 Português Русский 日本語 Deutsch العربية Français 한국어 Italiano Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam