Полупроводник спецификация

Полупроводник спецификация Производитель Связаться с нами

NE90100 СПЕЦИФИКАЦИЯ,СХЕМЫ,ФУНКЦИИ

NE90100 Datasheet PDF

ПроизводительУпаковкаОписаниеPDFТемпература
TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 250MA I(C) | CHIP Минимум°C | Макс°C

  • NE9000
    Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
  • NE900000
    Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
  • NE900000G
    Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
  • NE900075
    Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
  • NE900089A
    Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
  • NE9001
    Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
  • NE900100
    Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
  • NE900100G
    Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
  • NE900175
    Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
  • NE9002
    Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
  • NE900200
    Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
  • NE900200G
    Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
  • NE900275
    Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
  • NE900873-11
    TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.2A I(DSS) | RFMOD
  • NE900873-12
    TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.2A I(DSS) | RFMOD

© 2025 - Полупроводник спецификация Карта сайта
Español 中文 Português Русский 日本語 Deutsch العربية Français 한국어 Italiano Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam